特許
J-GLOBAL ID：200903033926355695
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180115
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046192
出願日： 1994年08月01日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】ノーマリ・オフ型で、制御性に優れ、オン抵抗が低く、安全動作領域の広い半導体装置を提供する。【構成】基板であるドレイン領域2の表面に、等間隔をなして互いに平行に配置された溝を複数設け、この溝に挟まれた表面に同一導電型のソース領域3を設ける。溝の内部には絶縁膜5によってドレイン領域2と絶縁された固定電位絶縁電極6を配置する。固定電位絶縁電極6はソース領域3と同電位に保たれ、かつ絶縁膜を介して隣接するドレイン領域に空乏領域を形成するような性質を有する導電性材料からなる。またソース領域3には接しないで、かつドレイン領域2ならびに絶縁膜5に接する反対導電型のインジェクタ領域8を、一定の間隔を置いて複数配置する。さらに、隣接する2つの前記インジェクタ領域から等距離にあたる領域には、前記ソース領域を持たないようにした半導体装置。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域である一導電型の半導体基体の一主面に、等間隔をなして互いに平行に配置された溝を複数有し、前記溝に挟まれた前記主面に、同一導電型のソース領域を有し、前記溝の内部には、絶縁膜によって前記ドレイン領域とは絶縁され、かつ、前記ソース領域とは同電位に保たれた固定電位絶縁電極を有し、前記固定電位絶縁電極は、前記絶縁膜を介して隣接する前記ドレイン領域に空乏領域を形成するような性質を有する導電性材料からなり、前記ソース領域には接しないで、かつ前記ドレイン領域ならびに各前記絶縁膜に接する反対導電型のインジェクタ領域を、一定の間隔を置いて複数有し、前記インジェクタ領域と前記ドレイン領域の形成するpn接合面は、前記主面から前記半導体基体内部へ向かって、前記溝の底部よりも深い位置にも存在し、前記ソース領域に隣接する前記ドレイン領域の一部であって、前記固定電位絶縁電極に挟まれ、前記インジェクタ領域の電位が前記ソース領域の電位と同電位に保たれている状態では、前記空乏領域の形成するポテンシャル障壁によって、前記ソース領域と前記ドレイン領域とを電気的に遮断状態となすチャネル領域を有し、前記半導体基体の主面に臨んで、隣接する2つの前記インジェクタ領域から等距離にあたる領域には、前記ソース領域を持たない、ことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 F
