スパツタリング方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-144288
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017869
出願日： 1991年04月02日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【目的】ターゲット材料の利用効率を高め、スパッタリングの諸特性を安定させるマグネトロンスパッタリング方法および装置を提供する。【構成】磁束密度成分が水平方向に双峰特性を示し、垂直方向で傾きが略零となる様に、磁気装置の2組の磁気要素を磁化方向、配向が±60度以内となる永久磁石で構成し、ターゲット中心近傍と外周近傍に環状に配置し、その外周に環状の電磁石を配置し、磁気要素の永久磁石のN極またはS極を全て同一側とし、高密度プラズマの発生領域をターゲットの中心近傍から外周近傍まで移動させながら成膜する。

請求項（抜粋）：

単数又は複数の基板を保持、又は、カソード部に対し相対的に運動(垂直、又は、平行移動、及び又は、自公転、及び又は、回転運動)を与える基板載置手段と、該基板の堆積面と所定の間隔を隔てて対向する成膜物質から成るターゲットと、該ターゲットを載置し電圧を印加しうる構造で、且つ、冷却機能を有するカソード部の近傍に磁気装置を配置したものにおいて、該磁気装置の発生する磁界に関し、ターゲット直上面の中心から外周に到る範囲の磁束密度分布において、ターゲット面に対し中心と外周の間で垂直方向の磁束密度成分の傾きが略零となる様に、該磁気装置の少なくとも1組の磁気要素をターゲット裏面の中心近傍に環状(又は楕円状、又はレーストラック状)に配置し、該磁気要素をターゲット面と平行な面に対し磁化方向、又は、配向が±60度以内の角度差を有する永久磁石で構成し、且つ、ターゲット外周近傍に環状の電磁石(ソレノイドコイル)を配置し、該電磁石の励磁方向、及び、又は、励磁電流を調整し、スパッタリングに寄与するターゲット直上近傍の高密度プラズマの発生領域をターゲットの軸対称線、又は、軸対称面に対し中心近傍から外周近傍までの間を移動させながら成膜することを特徴とするスパッタリング方法。

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