特許

J-GLOBAL ID：200903033937594667

固体撮像素子

発明者： 粟本 健司 ,  坂地 陽一郎 ,  土肥 正二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021592
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236981
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 固体撮像素子に関し、熱膨張率が互いに異なる半導体基板の膨張、収縮により金属バンプが位置ずれしても互いに接触しないようにした固体撮像素子を目的とする。【構成】 互いに熱膨張係数が異なるHgCdTe基板1とSi基板5のうち、一方のHgCdTe基板1に光検知素子3を設け、他方のSi基板5に前記光検知素子3の信号を処理する信号処理素子4を設けて、両者の半導体素子3,4を金属バンプ6A, 6Bを用いて接続して成る固体撮像素子に於いて、前記両者の基板1,5上に設けた金属バンプ6A,6B間の隙間に絶縁体壁11A, 11Bを形成して、前記金属バンプ6A,6Bを該絶縁体膜壁11A, 11Bにより隔離する。

請求項（抜粋）：

互いに熱膨張係数が異なる半導体基板(1,5) のうち、一方の半導体基板(1) に光検知素子(3) を設け、他方の半導体基板(5) に前記光検知素子(3) の信号を処理する信号処理素子(4) を設けて、両者の半導体素子(3,4) を金属バンプ(6A,6B) を用いて接続してなる固体撮像素子に於いて、前記両者の基板(1,5) 上に設けた金属バンプ(6A,6B) 間の隙間に絶縁体壁(11A,11B) を形成して、前記各金属バンプ(6A,6B) を該絶縁体壁(11A,11B) により隔離したことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/60 311