特許

J-GLOBAL ID：200903033938681105

酸化タンタル薄膜の形成方法

発明者： 澁谷 宗裕 ,  北川 雅俊 ,  鎌田 健 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258903
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102422
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 DRAMの容量性絶縁膜として利用できる酸化タンタル薄膜の形成方法に関し、界面に存在するSiO2膜の膜厚を制御し誘電率の高いキャパシタの形成を可能とする。【構成】 真空室1内でポリシリコン表面を水素プラズマによって処理し、表面の自然酸化膜を除去する。次に、酸素含有ガス12を導入することなく、アンプル3内の有機タンタル化合物であるTa(OC2H5)5を、He、Ar等の不活性ガス4によってバブリングしヒータ9によって約150°Cに加熱されたガス導入管10を通して真空室1に導入する。原料ガスは熱分解反応して基板5上に低酸化の酸化タンタル薄膜が堆積される。その後、高温での酸化処理を行なう。または、生成された膜の上に酸素含有ガスを導入しながら酸化タンタル薄膜を形成し、その後高温での酸化処理を行なう。

請求項（抜粋）：

原料ガスとして、有機タンタル化合物または無機タンタル化合物と不活性ガスを真空室内に導入し、化学気相成長法によりタンタル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜を形成したのち、O2またはO3雰囲気中で熱処理する事を特徴とする酸化タンタル薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04