特許
J-GLOBAL ID：200903033943008915
ラマンシフトパルスレーザ蒸着による薄膜の作製方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院名古屋工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-296145
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109971
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：
【要約】【課題】 ラマンシフトパルスレーザ蒸着による薄膜の作製方法及びその装置を提供する。【解決手段】 高い基準分子振動数を持つ物質に紫外線パルスレーザ光を照射して該レーザ光の短波長化を行い、真空紫外線を含み蒸着に充分な出力エネルギーと安定度とを持つラマンシフト化したパルスレーザ光を発生させ、該ラマンシフト真空紫外線を含むパルスレーザ蒸着により、ターゲット物質を蒸発させて基板上に該物質の薄膜を作製する方法及びその装置。【効果】 本発明のレーザ蒸着方法は、作製しようとする薄膜の材料や物質の種類に依存しない。即ち、ターゲットさえ作製できれば、無機材料か有機材料かに依存せずに、また、半導体、誘電体、超伝導体、磁性体、伝導体、絶縁体などの金属酸化物系、金属系や化合物系のいずれをも対象にしてその結晶薄膜を作製でき、また、ターゲット位置を順次に変えさえすれば高品質の多層積層薄膜を作製することが可能である。
請求項（抜粋）：
高い基準分子振動数を持つ物質に紫外線パルスレーザ光を照射して該レーザ光の短波長化を行い、真空紫外線を含み蒸着に充分な出力エネルギーと安定度とを持つラマンシフト化したパルスレーザ光を発生させ、該ラマンシフト真空紫外線を含むパルスレーザ蒸着により、ターゲット物質を蒸発させて基板上に該物質の薄膜を作製する方法。
IPC (2件)：
C23C 14/08 ZAA
, C23C 14/28
C23C 14/08 ZAA L
, C23C 14/28
4K029AA04
, 4K029AA09
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029BB07
, 4K029BC03
, 4K029BC04
, 4K029CA01
, 4K029DA04
, 4K029DA08
, 4K029DB20
, 4K029FA04
, 4K029JA03
