特許
J-GLOBAL ID:200903033943664510
導電性窒化ケイ素系焼結体及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 正緒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-326233
公開番号(公開出願番号):特開2000-154064
出願日: 1998年11月17日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】 放電加工が可能であり、放電加工による強度の低下を防ぐと共に、放電加工面での摩擦及び摩耗の少ない導電性Si3N4系焼結体を提供する。【解決手段】 平均粒径200nm以下のSi3N4粒子からなる母相中に平均粒径200nm以下のTiN粒子が分散し、電気伝導率が100S/cm以上である。放電加工後の曲げ強度が1GPa以上、放電加工面の摩擦係数が0.3以下で、比摩耗量が10-8mm2/N以下である。かかるSi3N4系焼結体は、平均粒径が100nm以下の原料粉末からなる成形体を、窒素雰囲気中において1400〜1600°Cの温度で焼結することにより得られる。
請求項(抜粋):
平均粒径200nm以下の窒化ケイ素粒子からなる母相中に平均粒径200nm以下の窒化チタン粒子が分散し、電気伝導率が100S/cm以上であることを特徴とする導電性窒化ケイ素系焼結体。
IPC (3件):
C04B 35/584
, C04B 35/626
, C04B 35/64
FI (3件):
C04B 35/58 102 G
, C04B 35/58 102 Q
, C04B 35/64 C
Fターム (19件):
4G001BA03
, 4G001BA09
, 4G001BA32
, 4G001BA38
, 4G001BB03
, 4G001BB09
, 4G001BB32
, 4G001BB38
, 4G001BC13
, 4G001BC22
, 4G001BC42
, 4G001BC71
, 4G001BC73
, 4G001BD12
, 4G001BD14
, 4G001BD18
, 4G001BD22
, 4G001BE11
, 4G001BE22
引用特許:
前のページに戻る