特許
J-GLOBAL ID:200903033943664510

導電性窒化ケイ素系焼結体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 正緒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-326233
公開番号(公開出願番号):特開2000-154064
出願日: 1998年11月17日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】 放電加工が可能であり、放電加工による強度の低下を防ぐと共に、放電加工面での摩擦及び摩耗の少ない導電性Si3N4系焼結体を提供する。【解決手段】 平均粒径200nm以下のSi3N4粒子からなる母相中に平均粒径200nm以下のTiN粒子が分散し、電気伝導率が100S/cm以上である。放電加工後の曲げ強度が1GPa以上、放電加工面の摩擦係数が0.3以下で、比摩耗量が10-8mm2/N以下である。かかるSi3N4系焼結体は、平均粒径が100nm以下の原料粉末からなる成形体を、窒素雰囲気中において1400〜1600°Cの温度で焼結することにより得られる。
請求項(抜粋):
平均粒径200nm以下の窒化ケイ素粒子からなる母相中に平均粒径200nm以下の窒化チタン粒子が分散し、電気伝導率が100S/cm以上であることを特徴とする導電性窒化ケイ素系焼結体。
IPC (3件):
C04B 35/584 ,  C04B 35/626 ,  C04B 35/64
FI (3件):
C04B 35/58 102 G ,  C04B 35/58 102 Q ,  C04B 35/64 C
Fターム (19件):
4G001BA03 ,  4G001BA09 ,  4G001BA32 ,  4G001BA38 ,  4G001BB03 ,  4G001BB09 ,  4G001BB32 ,  4G001BB38 ,  4G001BC13 ,  4G001BC22 ,  4G001BC42 ,  4G001BC71 ,  4G001BC73 ,  4G001BD12 ,  4G001BD14 ,  4G001BD18 ,  4G001BD22 ,  4G001BE11 ,  4G001BE22
引用特許:
審査官引用 (2件)

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