特許
J-GLOBAL ID：200903033950025124
プラズマCVD膜の形成方法及びプラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-274220
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086517
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 膜質の良否判定の迅速化を図り、生産性の向上を図るプラズマCVD膜の形成方法及びプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 質量分析器24が供給ポート26を介してプロセス室10と連結されている。プロセス室10内でウェハ表面に成膜を行う際に、プロセス室10内の雰囲気ガスの一部を質量分析器24に供給する。質量分析器24ではシングルチャージの原子イオン及び分子イオンの電流値を測定し、これらのイオン電流値の絶対値及び各イオン電流値相互の比率から膜質の良否判定を行う。成膜を行うための原料ガスとしてシラン(SiH4)に希ガスのアルゴン(Ar)を加えた混合ガスと窒素(N2)を含むガスが用いられる。
請求項（抜粋）：
ウェハが搬送されるプロセス室内に原料ガスを供給し、この原料ガスをプラズマ状態で化学反応させることにより、このウェハ表面上に膜を形成するプラズマCVD膜の形成方法において、前記プロセス室内におけるこの原料ガスを構成する原子及びこの原子から成る分子に関するシングルチャージの原子イオン及び分子イオンの濃度を前記プロセス室内と連結された質量分析器により検出しながら膜の形成を行うことを特徴とするプラズマCVD膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4K030AA06
, 4K030AA18
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA01
, 4K030JA05
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 5F045AA08
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045BB08
, 5F045EE17
, 5F045GB07
