特許

J-GLOBAL ID：200903033951260704

単結晶成長方法

発明者： 山岸 浩利
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所
代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240494
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】 従来、商用目的に供されてきた石英ルツボを用いて、かつ石英ルツボの内表面に特別な物質を塗布することなく、良質な無転位単結晶を成長させる。【解決手段】 石英ルツボの内表面にできるクリストバライト結晶層の結晶化斑点に関して、直径40μm以下のクリストバライト結晶化粒の個数がクリストバライト結晶化粒の総数に対して80%以上の割合を占めるように単結晶引上げの条件を調節する。例えば、単結晶成長装置内の磁場の強度を1000〜2000ガウス、シリコン融液の加熱時間を100時間以上として、単結晶の引上げを行う。

請求項（抜粋）：

磁場を断続的に印加しながら石英ルツボに収容されたシリコン融液を加熱し、前記シリコン融液の表面に種結晶を接触させて、前記種結晶を上方に引き上げ、単結晶を成長させる単結晶成長方法であって、単結晶の引上げ後に石英ルツボの内表面に生成する結晶質SiO2粒のうち、前記結晶質SiO2粒の直径が40μm以下であるものの個数が、前記結晶質SiO2粒の総数に対して80%以上の割合となる前記石英ルツボを使用する単結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/10 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 502 G ,  C30B 29/06 502 B ,  C30B 15/10 ,  H01L 21/208 P

Fターム (20件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA10 ,  4G077EG01 ,  4G077EH10 ,  4G077EJ02 ,  4G077HA12 ,  4G077PF55 ,  4G077RA03 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053AA14 ,  5F053BB04 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR03