特許
J-GLOBAL ID：200903033960484011
位相シフトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303177
公開番号（公開出願番号）：特開平11-143048
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 薄膜化された遮光膜を使用する場合にも各透明領域により形成されるパターンの寸法を等しくすることができる位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 合成石英からなる透明基板1上に遮光膜2によるマスクパターンが形成されている。このマスクパターンはL/Sパターンであり、等しい幅を有する透明領域4及び5が、それらと等しい幅を有する遮光膜2が形成された遮光領域を挟んで交互に形成されている。更に、透明領域5における透明基板1の厚さは透明領域4における厚さよりも241nm薄く、透明領域4及び5を透過する透過光の位相は175°相違している。また、遮光膜2は膜厚が30μmのクロム膜と、このクロム膜上に形成された膜厚が30μmの酸化クロム膜とから構成されており、遮光膜2を透過するKrFエキシマレーザ光の透過強度は0.2%である。
請求項（抜粋）：
第1の透明領域と、第2の透明領域と、前記第1の透明領域と前記第2の透明領域との間に設けられた遮光領域とを有するマスクパターンを有し、前記第1の透明領域を透過する透過光と前記第2の透明領域を透過する透過光との間に位相差を有する位相シフトマスクにおいて、前記位相差は180°未満であることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
