特許
J-GLOBAL ID:200903033962570500

半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田北 嵩晴
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-353920
公開番号(公開出願番号):特開平5-167143
出願日: 1991年12月19日
公開日(公表日): 1993年07月02日
要約:
【要約】【目的】 半導体レーザの発光部に付随する冷却部を安全かつ簡便な方法にて小型化し、複数の半導体レーザの発光部を近接して配置することが出来る半導体レーザ装置とする。【構成】 半導体レーザとして光出力10Wのアレイ半導体レーザ1を用い、これを銅のスペーサー2を介して半導体レーザ1の温度制御用ペルチエ素子3に取り付け、これらを一体として銅のヒートブロック4上に配置し、このヒートブロック4をヒートパイプ5の片方の端に固定し、他端に放熱フィン6を取り付け、空冷ファン7により強制空冷し、アレイ半導体レーザ1の良好な動作を得る。発光部8を近接して配置した2台のアレイ半導体レーザ1からの出射光をコリメーティングレンズ9でコリメートした後、各々の偏波面を偏波合成用偏光ビームスプリッター10の入力ポートに合わせて配置し、偏波合成光出力11を得る。
請求項(抜粋):
半導体レーザからの発熱あるいは半導体レーザを温度制御するための電子冷却素子からの発熱を除去するためのヒートパイプを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件):
H01S 3/043 ,  H01S 3/18

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