特許
J-GLOBAL ID：200903033964672408
位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221722
公開番号（公開出願番号）：特開平5-061182
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 遮光膜パターンをウェットエッチングによりアンダーカットなしに正確に得ることができる位相シフトマスク及びその製造方法を提供する。【構成】 透明基板2と、この透明基板2の上に形成された透明導電膜3と、この透明導電膜3の上に形成されて透光部7と遮光部6とで構成される遮光膜パターン8と、前記遮光膜パターン8の透光部7に選択的に形成された位相シフト層9とを有する位相シフトマスクにおいて、前記遮光膜パターン8の遮光部6が、遮光膜5の下に透明高抵抗膜4を備えたものであり、一方、透光部7は前記遮光膜5及び透明高抵抗膜4がともに除去されているものであることを特徴としたもので、これにより、遮光部6を構成する遮光膜5の一部を所定のパターンに沿ってウェットエッチングにより除去する際に、アンダーカットが生じないから、正確なパターンエッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
透明基板と、この透明基板の上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜の上に形成されて透光部と遮光部とで構成される遮光膜パターンと、前記遮光膜パターンの透光部に選択的に形成された位相シフト層とを有する位相シフトマスクにおいて、前記遮光膜パターンの遮光部が、遮光膜の下に透明高抵抗膜を備えたものであり、一方、透光部は前記遮光膜及び透明高抵抗膜がともに除去されているものであることを特徴とした位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
