特許

J-GLOBAL ID：200903033970180061

半導体集積回路用受動素子の製造方法

発明者： 西辻 充
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064922
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188367
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 半導体受動素子の作成工程数を削減し、かつ素子特性の変動を低減する。【構成】 Tiの酸化物を絶縁物質とする容量素子の第2層金属3として、窒素を含む高融点金属を堆積、加工する工程と同時に前記高融点金属を用いて薄膜抵抗素子4bを形成し、工程数の低減化を図ると共に、素子の歩留まりの向上及び信頼性の向上を図る。

請求項（抜粋）：

半導体主面上に集積回路素子として容量素子を形成する工程に於いて、容量素子絶縁物質としてTiの酸化物により構成される絶縁物を形成する工程と、前記絶縁物質上の容量素子第2層金属として窒素を含む高融点金属を用いる工程とを有することを特徴とする半導体集積回路用受動素子の製造方法。