特許

J-GLOBAL ID：200903033970834312

化合物半導体薄膜光電変換素子およびその製造方法

発明者： ▲はま▼ 敏夫
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305153
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145099
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】CuInSe2 を用いた化合物半導体薄膜光電変換素子の開放電圧を短絡電流密度を低下させることなしに向上させる。【構成】p型CuInSe2 層3とn型CdS5あるいはCdZnS層5との間にバンドギャップの大きいp型CuInS2 層4を挿入すれば接合界面を形成するp型層のバンドギャップが大きいことにより開放電圧が向上し、背後にあるCuInSe2 層3が光吸収層になることにより短絡電流の減少が防止される。そして、CuInSe2 層をセレン化法で形成したときに生ずる凹凸のある表面をスパッタエッチにより平坦化することにより、その上にCu-In層を積層し、いおう化することにより形成するCuInS2層との界面に欠陥が生じない。

請求項（抜粋）：

p型CuInSe2 層とn型CdS層との間にp型CuInS2 層が介在し、p型CuInSe2 層に第一電極層、n型CdS層に透明第二電極層が接触することを特徴とする化合物半導体薄膜光電変換素子。