特許

J-GLOBAL ID：200903033971532344

半導体量子発振装置

発明者： リ,ビンフイ
出願人/特許権者： リ,ビンフイ
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外13名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-542209
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522527
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】多重層半導体構造体と、上記構造体に電圧を供給するための手段とを備える新規なキャリヤ注入スキームにより、ブロッホ発振を発生する半導体量子発振装置。上記多重層構造体は、トンネル効果注入領域と、一組のトンネル効果注入領域の両側に位置し、それに隣接する一組の発振領域を備える。上記トンネル効果領域および上記一組の発振領域を横切って供給される電圧により、価電子は、上記トンネル効果領域内のバンド間トンネル効果により伝導バンド内に入り、電子およびホールが、それぞれ、上記一組の発振領域内に注入される。このようにして注入された電子およびホールは、量子発振運動を受け、遠赤外線放射を行う。本発明の装置は、ミリメートル波の上限と遠赤外線下限との間の電磁スペクトル資源の効率的利用に道を開くものである。

請求項（抜粋）：

半導体ヘテロ接合材料の多重層構造体と、前記多重層構造体に動作電圧を供給する手段とを備える半導体量子発振装置であって、前記多重層構造体が、バンド間トンネル効果領域と、その間に前記バンド間トンネル効果領域をサンドイッチ状に挟んでいる一組のキャリヤ発振領域(電子発振領域とホール発振領域)を形成し、 動作電圧を供給するための前記手段が、前記バンド間トンネル効果領域、および前記一組のキャリヤ発振領域の両端部にある電圧を加え、前記バンド間トンネル効果領域内に、バンド間トンネル効果を発生し、 前記バンド間トンネル効果が、それぞれ、前記電子発振領域およびホール発振領域内に、コヒーレントな電子とコヒーレントなホールとを注入し、 前記の注入されたコヒーレントな電子およびホールが、領域発振を受け、遠赤外線放射を行うことを特徴とする半導体量子発振装置。