特許

J-GLOBAL ID：200903033972703991

(Al,In,Ga,B)Nの伝導性制御方法

発明者： ケディング, ジョン エフ. ,  佐藤 均 ,  イザ, マイケル ,  浅水 啓州 ,  チョン, ホン ,  デンバース, スティーブン ピー. ,  ナカムラ, シュウジ
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-554403
公開番号（公開出願番号）：特表2009-526405
出願日： 2007年02月09日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：

(Al,In,Ga,B)N半導体結晶におけるp型伝導性の制御方法が開示される。例えば、<011>方向にミスカットされた{100}MgAl2O4スピネル基板上に蒸着された{1011}GaN膜を含む。成長する半極性窒化薄膜にMg原子を意図的に内包し、使用可能な電子状態を半導体結晶のバンド構造に導入することによって、p型伝導性をもたらしてもよい。好適な電子状態の同様の内包をもたらすZnまたはCなどのその他の不純物原子を使用してもよい。

請求項（抜粋）：

窒化物装置または窒化物半導体における伝導特性を強化または調整する方法であって、 (a)ドープ半極性または無極性窒化物半導体を使用して、該窒化物装置または窒化物半導体を加工することにより、該窒化物装置または窒化物半導体における該伝導特性を強化または調整することを含む、方法。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (32件)：

5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE30 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA62 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5,306,662号明細書
  

審査官引用 (2件)

• 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-269799   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子の製造方法、集積型半導体発光装置の製造方法、画像表示装置の製造方法および照明装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-380937   出願人：ソニー株式会社