特許
J-GLOBAL ID：200903033981319096
シリカゲルおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西教 圭一郎
, 杉山 毅至
, 廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-105727
公開番号（公開出願番号）：特開2004-307294
出願日： 2003年04月09日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】構造を制御し、圧力損失などの特性が向上したシリカゲルおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ステップ1-1でケイ酸ナトリウム水溶液を調製し、ステップ1-2で、十分にNaイオンが除去できるように、強酸性イオン交換樹脂を、所望のpHになるまで加える。ステップ2-1では、シリカゾルが入ったチューブ状セルを、定速モータを用いて所定の挿入速度で液体窒素に挿入する。このときの挿入速度および冷媒の温度を制御することでハニカムの開孔径を調整する。ステップ2-2では、凍結状態のまま一定時間低温エージングを行う。ステップ3-1では、セルを50°Cの恒温槽に入れて急速に解凍し、一定時間恒温槽内に保持して高温エージングを行う。ステップ3-2で、t-ブタノールによる洗浄を行い、試料中に含まれる微量の水分をt-ブタノールで置換して、ステップ3-3では、-10°Cで凍結乾燥する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリカゾルのpHの調整および不純物の除去を行う前処理ステップと、
前処理が終了してから所定時間経過後に、試料を一定方向で冷媒に挿入して凍結させることによってハニカム形状を形成する一方向凍結ステップとを有し、
前記一方向凍結ステップで、試料を冷媒に挿入する挿入速度を制御することで、凍結後に得られるハニカム開孔径を制御することを特徴とするシリカゲルの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4G072AA25
, 4G072AA28
, 4G072BB05
, 4G072CC10
, 4G072GG03
, 4G072HH18
, 4G072MM08
, 4G072MM34
, 4G072MM40
, 4G072PP03
, 4G072PP20
, 4G072RR12
, 4G072RR30
, 4G072TT05
, 4G072TT08
