特許
J-GLOBAL ID:200903033981380330
変換器回路、少なくとも1つのスイッチング・デバイスを有する回路および回路モジュール
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
浅村 皓
, 浅村 肇
, 林 鉐三
, 清水 邦明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-032743
公開番号(公開出願番号):特開2006-149195
出願日: 2006年02月09日
公開日(公表日): 2006年06月08日
要約:
【課題】既知の変換器回路に関する短所が改善されるタイプの変換器回路を提供することである。【解決手段】変換器回路は、少なくとも1つのスイッチングデバイス(5,6)と、デバイスがオフになると導通になり、デバイスがオンになると逆方向にバイアスされるように配置されたダイオードと含む。このダイオードは、炭化シリコンからなる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
少なくとも1つのスイッチング・デバイス(5,6,5’,6’,5”)と、前記デバイスが1つの方向にスイッチングすると、順バイアスされて導通になるように配置された第1のダイオード(18)とを含む回路装置であって、第2の炭化シリコン・ダイオード(17)は、第1のダイオードと直列に接続され、スイッチングがおこなわれると、瞬時に2つのダイオードを流れる電流の大部分を受けるように設計され、大部分は、時間とともに減衰し定常導通状態において2つのダイオードを流れる電流の少部分となることを特徴とする回路装置。
IPC (1件):
FI (2件):
Fターム (10件):
5H007AA06
, 5H007AA17
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CA03
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007CC07
, 5H007FA01
, 5H007HA04
引用特許:
審査官引用 (17件)
-
特開平2-202375
-
特表平4-502536
-
特開平2-202375
-
合成半導体及び制御されたそのドーピング
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-038991
出願人:オハイオエアロスペースインスティチュート
-
特表平4-502536
-
特表平4-502536
-
高耐圧炭化珪素ショットキ-・ダイオ-ド
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-051835
出願人:株式会社東芝
-
半導体モジュール及びそれを使った電力変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-013684
出願人:株式会社日立製作所
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-231716
出願人:日本電気株式会社
-
特開平4-080970
-
インバータ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-241681
出願人:株式会社日立製作所
-
特開平4-124815
-
特開平4-124815
-
特開平4-124815
-
特開昭63-283014
-
特開昭63-283014
-
特開昭63-283014
全件表示
前のページに戻る