化学増幅型ポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375158
公開番号（公開出願番号）：特開2003-177518
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、エネルギー線に対する感度が高く、高温のポスト露光ベーク工程を含むパターン形成工程においても、露光後加熱処理までの経時でレジストパターンの細りが生じたり、レジストパターン表面の形状がT型を呈することのない化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法およびパターンを提供することである。【解決手段】オニウムカチオンと、下記一般式(1)のボレートアニオンとから構成される酸発生剤(A)、酸不安定基を有する高分子(B)、および有機溶剤(C)を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物。一般式(1)[BYmZn]-(ただし、Yはフッ素または塩素、Zはフッ素、シアノ基、ニトロ基、および、トリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも2個の電子吸引性基で置換されたフェニル基、mは0〜3の整数、nは1〜4の整数を表し、m+n=4である。)

請求項（抜粋）：

オニウムカチオンと、下記一般式(1)のボレートアニオンとから構成される酸発生剤(A)、酸不安定基を有する高分子(B)、および有機溶剤(C)を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物。一般式(1)[BYmZn]-(ただし、Yはフッ素または塩素、Zはフッ素、シアノ基、ニトロ基、および、トリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも2個の電子吸引性基で置換されたフェニル基、mは0〜3の整数、nは1〜4の整数を表し、m+n=4である。)

IPC (6件)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027 , C07C381/12 , C07F 5/02

FI (6件)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , C07C381/12 , C07F 5/02 A , H01L 21/30 502 R

Fターム (27件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC07 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4H006AA03 , 4H006AB81 , 4H048AA03 , 4H048AB81 , 4H048VA11 , 4H048VA75 , 4H048VB10 , 4H048VB90

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