特許
J-GLOBAL ID：200903033986893947
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008698
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199722
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 溝型パワーMOSFETにおいて、複数のセルの上部に形成されたソース電極上にワイヤボンディングを行う。【解決手段】 図に示す溝型パワーMOSFETにおいて、バスタブ形状溝50内におけるゲート電極19の凹部の内側底部の幅Wと層間絶縁膜18の厚さtとが、w≦2tとなるように、層間絶縁膜18を形成する。このことにより、ソース電極19上が平坦化され、その上にワイヤボンディングを行う場合に、十分な接着強度が得ることができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層(2)を一主面側に有する半導体基板(1)と、個々のセルに対応して前記半導体層の表面に形成された、断面がバスタブ形状の溝(50)に隣接して、前記半導体層の表面に形成された第2導電型のベース領域(16)と、このベース領域内の前記溝の近傍にチャネル(5)を形成するように、前記ベース領域内において前記半導体層の表面側に形成されたソース領域(4)と、前記溝内に形成されたゲート絶縁膜(8)と、このゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(9)と、このゲート電極の上に形成された層間絶縁膜(18)と、個々のセルにおいて前記層間絶縁膜の上を含み前記ベース領域と前記ソース領域に接触するように、複数のセルの上部に渡って形成されたソース電極(19)と、前記半導体基板に形成されたドレイン電極(20)とを備え、前記複数のセルの上部に形成されたソース電極上にてワイヤボンディングが行われるようにした半導体装置であって、前記溝内において前記ゲート電極は凹部形状を有しており、その内側底部の幅をW、前記層間絶縁膜の厚さをtとした時、W≦2tとなるように、前記層間絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 652 Q
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 F
