特許
J-GLOBAL ID：200903033996284108
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331907
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133563
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 光半導体装置内部で外光の入射による乱反射光が発生するのを抑制して光半導体素子の受光部に乱反射光が入り込むのを防ぎ、光半導体装置の受光特性を良好なものとすること。【解決手段】 上側主面に凹部2aが形成された基体2と、凹部2aの底面2bに載置され、上面の中央部に受光部3aが設けられているとともに外周部に電極4が形成された光半導体素子3と、上側主面の凹部2aの周囲の略全周に設けられた樹脂層7と、樹脂層7の上部で接着されて光半導体素子3を封止する透光性蓋体8とを具備し、凹部2aの底面2bの光半導体素子3の周囲に光半導体素子3の上面以下の高さを有する光吸収性部材9が設けられている。
請求項（抜粋）：
上側主面に凹部が形成された基体と、前記凹部の底面に載置され、上面の中央部に受光部が設けられているとともに外周部に電極が形成された光半導体素子と、前記上側主面の前記凹部の周囲の略全周に設けられた樹脂層と、該樹脂層の上部で接着されて前記光半導体素子を封止する透光性蓋体とを具備した光半導体装置であって、前記凹部の底面の前記光半導体素子の周囲に前記光半導体素子の上面以下の高さを有する光吸収性部材が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/02 B
, H01L 27/14 D
4M118AA05
, 4M118HA02
, 4M118HA14
, 4M118HA25
, 4M118HA30
, 4M118HA40
, 5F088AA01
, 5F088BA03
, 5F088BA16
, 5F088BB02
, 5F088BB03
, 5F088JA03
, 5F088JA07
, 5F088JA10
, 5F088JA20
