特許
J-GLOBAL ID：200903034009810444
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-122271
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326992
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 p-i-nまたはn-i-p多重接合型非単結晶シリコン系半導体光起電力装置の変換効率の光劣化を抑制し、高効率で安定性に優れた光起電力装置を提供する。【構成】 i層の受光面側に、i層よりバンドギャップの広いp型またはn型の広バンドギャップ不純物層を設けたp-i-n型またはn-i-p型光起電力素子を多重に接合した非単結晶シリコン系半導体装置であって、受光面側に最近接の広バンドギャップ不純物層以外の広バンドギャップ不純物層とi層の間に、i層に向かってバンドギャップを連続的に減少させたバッファー層を設け、かつ少なくとも1つの広バンドギャップ不純物層の受光面側に該不純物層と同一導電型の不純物濃度のより高い高濃度不純物層を設けたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
受光面側に、活性層である真性半導体のi層よりもバンドギャップの広いp型あるいはn型の不純物層を有するp-i-n型あるいはn-i-p型光起電力素子を多重に接合した非単結晶のシリコン系半導体装置であって、少なくとも一つの広バンドギャップ不純物層の受光面側に該不純物層と同じ導電型でかつ不純物濃度の高い高濃度不純物層を設けるとともに、受光面側に最近接の広バンドギャップ不純物層以外の広バンドギャップ不純物層とi層の間に、該広バンドギャップ不純物層からi層にむかってバンドギャップを連続的または段階的に減少させたバッファー層を設けることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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