特許

J-GLOBAL ID：200903034014716740

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 永田 豪 ,  中柴 康隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241322
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077641
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 スミアの発生を抑制することのできる固体撮像装置を提供する。【解決手段】 10はP型シリコン基板、12はP型ウェル、14はフォトダイオードとなるN型領域(光電変換領域)、16はゲートSiO2 膜、18はリセットゲートとなるポリシリコン、20はリセットドレインとなるN+ 型領域、21は素子分離のためのフィールド酸化膜、22は遮光膜となる金属膜であり光が入射する開口23を規定する。24は選択スイッチMOSトランジスタ26を含むソースフォロワアンプである。光電変換領域14の周辺を縁取る平面をシリサイド化し、シリサイド化された領域32で光電変換領域の光入射領域を規定している。

請求項（抜粋）：

光電変換領域を備えた固体撮像装置において、前記光電変換領域の表面で前記光電変換領域の周辺を縁取る平面をシリサイド化し、シリサイド化された領域で前記光電変換領域の光入射領域を規定することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 V

Fターム (19件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CB14 ,  4M118DA20 ,  4M118FA28 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  5C024AA00 ,  5C024CA04 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA11 ,  5C024GA31 ,  5C024GA51 ,  5C024GA52