特許

J-GLOBAL ID：200903034015714740

荷電粒子ビーム露光方法

発明者： 安田 洋 ,  甲斐 潤一 ,  西野 久泰 ,  荒井 総一郎 ,  大饗 義久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281877
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132203
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】複数のブランキング・アパーチャを2次元的に配列してなるブランキング・アパーチャ・アレイ板(BAA板)を備えてなる荷電粒子ビーム露光装置を用いた荷電粒子ビーム露光方法に関し、重要度の高いパターン・エッジを精度高く形成することができるようにし、これを例えば、LSI製造用のリソグラフィ装置として使用する場合には、高密度・高精度のLSIを製造することができるようにする。【構成】あらかじめ、ウエハの各層ごとに、X軸又はY軸のうち、いずれかを優先軸として定めておき、サブデフレクタ27によるオン・ビーム21の走査方向及びステージ31の連続移動方向を優先軸方向に合わせて露光する。

請求項（抜粋）：

被露光体面上で荷電粒子ビームの走査方向に直交させるべき第1の方向にブランキング・アパーチャを同一又は略同一間隔で形成してなる複数のブランキング・アパーチャ列を、前記第1の方向と直交する第2の方向に、前記ブランキング・アパーチャの列方向の位置が全列又は所定の列で一致又は略一致するように配列してなるブランキング・アパーチャ・アレイ板を備えてなる荷電粒子ビーム露光装置を用いた荷電粒子ビーム露光方法であって、あらかじめ、被露光体面ごとに、パターン形成の基準軸となる第1及び第2の直交軸のうち、いずれかを優先軸として定めておき、露光時、前記ブランキング・アパーチャ・アレイ板の下流に設けられている電磁レンズによる磁界を制御することにより、前記第1の方向が前記優先軸とされた前記第1又は第2の直交軸に直交するように、前記ブランキング・アパーチャ・アレイ板を前記被露光体面に投影させ、前記優先軸とされた前記第1又は第2の直交軸方向に荷電粒子ビームを走査することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 506 ,  G03F 7/20 521