高分子薄膜、パターン基板の製造方法、パターン転写体、及び磁気記録用パターン媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-334979
公開番号（公開出願番号）：特開2007-138052
出願日： 2005年11月18日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】高分子ブロック共重合体のミクロ相分離現象を用いて、柱状ミクロドメインが、膜の貫通方向に配向するとともに規則配列パターンを有する高分子薄膜を提供することを課題にする。【解決手段】第1モノマー(11)の重合体を主成分にする連続相(10)と、第2モノマー(21)の重合体を主成分にし連続相(10)中に分布するとともに膜の貫通方向に配向している柱状ミクロドメイン(20)と、を備える高分子薄膜(30)において、第1モノマー(11)が重合してなる第1セグメント(12)、及び前記第2モノマー(21)が重合してなる第2セグメント(22)を少なくとも有する高分子ブロック共重合体(31)と、第1セグメントに相溶する高分子重合体(13)と、が配合されてなることを手段とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1モノマーの重合体を主成分にする連続相と、第2モノマーの重合体を主成分にし、前記連続相中に分布するとともに膜の貫通方向に配向している柱状ミクロドメインと、を備える高分子薄膜において、前記第1モノマーが重合してなる第1セグメント、及び前記第2モノマーが重合してなる第2セグメントを少なくとも有する高分子ブロック共重合体と、前記第1セグメントに相溶する高分子重合体と、が配合されてなることを特徴とする高分子薄膜。

IPC (4件)：

C08L 101/00 , C08L 53/00 , C08J 5/18 , G11B 5/84

FI (4件)：

C08L101/00 , C08L53/00 , C08J5/18 , G11B5/84 Z

Fターム (30件)：

4F071AA22 , 4F071AA22X , 4F071AA33 , 4F071AA33X , 4F071AA75 , 4F071AG36 , 4F071AH14 , 4F071BA02 , 4F071BB02 , 4F071BC02 , 4J002AB02X , 4J002AC07X , 4J002BC03X , 4J002BC05X , 4J002BC06X , 4J002BC09X , 4J002BD10X , 4J002BD13X , 4J002BG06X , 4J002BP03W , 4J002CH01X , 4J002CH07X , 4J002CP03X , 4J002GS00 , 5D112AA02 , 5D112AA05 , 5D112AA24 , 5D112BA03 , 5D112BA10 , 5D112FA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

表示装置および表示装置用透明基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-049612 出願人：株式会社東芝
発色性高分子構造体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-249410 出願人：科学技術振興事業団, 舩木克典
三次元共連続ミクロ相分離構造を持つ多成分多相系高分子材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-093140 出願人：新技術事業団

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