異方性ボンド磁石の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：押田良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281967
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115010
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】製造効率のすぐれたストリップキャスティング法による鋳片より磁気特性がすぐれた異方性ボンド磁石を得る製造方法の提供。【構成】 R(Rは希土類元素の少なくとも1種)、Fe、B、M1(MはCo,Ni,Crの1種または2種以上)、M2(M2はAl,Ga,Zr,Ti,V,Nb,Mo,In,Sn,Hf,Ta,Wのうち少なくとも1種)を主成分とする合金溶湯を用いて、ストリップキャスティング法にて所要厚みの鋳片となした後、真空中または不活性ガス雰囲気中で1000°C〜1200°Cに30分〜48時間の熱処理を施すことにより、鋳片あるいは粉末内の結晶方位が一定方向に揃った結晶領域の大きさを最短方向に20μm以上に粒成長させて、その後、極微細結晶組織の集合体が得られる特定条件の水素処理と脱水素処理を行うことにより、生産効率よく、高性能の異方性ボンド磁石用原料粉末を得て、この磁石合金粉末を磁界中で配向し樹脂にて結合することにより、高性能Fe-B-R系異方性ボンド磁石を製造性よく得る。

請求項（抜粋）：

R(但し、RはYを含む希土類元素のうち少なくとも1種でかつPrまたはNdの1種または2種をRのうち90%以上含有)9.0at%〜15at%、B5.5at%〜8.0at%、M1(但し、M1はCo,Ni,Crの1種または2種以上)2at%〜20at%、M2(但し、M2はAl,Ga,Zr,Ti,V,Nb,Mo,In,Sn,Hf,Ta,Wのうち1種または2種以上)0.01at%〜2.0at%、残部Fe及び不可避的不純物からなる合金溶湯をストリップキャスティング法にて板厚0.03mm〜10mmの鋳片に鋳造後、真空中または不活性ガス雰囲気中で1000°C〜1200°Cに30分〜48時間の熱処理をして、結晶内の結晶方位が一定方向に揃った結晶領域の大きさを最短方向に20μm以上に粒成長させた後、前記鋳片及び/又は粉末を10kPa〜1000kPaのH2ガス中で750〜900°Cに15分〜8時間加熱保持する水素処理を施し、更にH2分圧10kPa以下にて700〜900°Cに5分〜8時間保持する脱水素処理を行ない、平均結晶粒径が0.05〜0.5μmである磁気的に異方性を有する平均粒度20〜400μmの合金粉末を得た後、配向した該磁石合金粉末を樹脂にて結合したことを特徴とする異方性ボンド磁石の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-004901
特開昭64-045103
特開平2-004901

全件表示

前のページに戻る