特許

J-GLOBAL ID：200903034030401759

固体撮像装置

発明者： 釜下 敦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 木内 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-184393
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016542
出願日： 2006年07月04日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

【課題】光電変換部の面積の減少にもかかわらず、蓄積できる最大電荷量の減少を抑制することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】入射光に応じた信号電荷を生成し、蓄積するフォトダイオード101を備えている固体撮像装置において、フォトダイオード101を、N型基板であるSi基板120に形成されたP型ウエル121と、P型ウエル121に形成され、P型ウエル121と極性の異なる電荷蓄積層122とで構成した。電荷蓄積層122は、Si基板120の深さ方向へ所定間隔に配置され、Si基板120の表面とほぼ平行な方向へ延びる複数の水平電荷蓄積層112と、Si基板120の表面とほぼ直交する方向へ延び、複数の水平電荷蓄積層112を接続する垂直電荷蓄積層113とで形成されている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

入射光に応じた信号電荷を生成し、蓄積する光電変換部を備えている固体撮像装置において、 前記光電変換部は、半導体基板に形成された第1の導電型領域中に形成され、前記第1の導電型領域と極性の異なる第2の導電型領域を有し、 前記第2の導電型領域は、前記半導体基板の深さ方向へ所定間隔に配置され、前記半導体基板の表面とほぼ平行な方向へ延びる複数の水平拡散部と、前記半導体基板の表面とほぼ直交する方向へ延び、前記複数の水平拡散部を接続する垂直拡散部とを有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E

Fターム (15件)：

4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX35

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-361089   出願人：キヤノン株式会社