特許

J-GLOBAL ID：200903034030898890

一体型の誘導性素子及びその製造方法

発明者： イーアン ロバート ハービー ,  マイケル フレデリック エイマン ,  マルコム ランダル ハービー ,  ジェイムズ クレイグ スティーブンソン
出願人/特許権者： ブアンズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570794
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525846
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】本発明の誘導性素子は浅い凹面(34)またはトレンチを持った下部の絶縁層(32)を表面上に備えた基板(12)、トレンチに形成された第1の複数の導体(16)、第1の複数の導体の上に形成された磁心(14)、及び磁心の上に形成された第2の複数の導体(18)を含む。第1及び第2の複数の導体は磁心の周りに誘導性のコイルを形成するために、互いに結合する。第1及び第2の磁心絶縁層(28,30)は磁心と、それぞれ、第1及び第2の複数の導体との間に配置される。素子は薄膜技術を使用して、それをトレンチに築き上げる方法によって製造される。第1の導体(16)の配列は下部の絶縁層(34)の上にパターン化され、さらに第1磁心絶縁層(28)が第1の導体の配列の上に適用される。磁心(14)は第1磁心絶縁層の上部に形成され、さらに第2磁心絶縁層(30)が磁心に適用される。第2導体(18)の配列は第1及び第2の導体の両端が互いに接続し、磁心の周りに誘導性のコイルを形成するように、第2磁心絶縁層の上部にパターン化される。第1または第2の複数の導体のどちらか(または、両方)は半導体集積回路製造中の金属導体層の形成と同時に行われてもよく、誘導性素子は集積回路の一部として製造することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に誘導性素子を製造するための方法であって: 基板に凹状のへこみを持った下部の絶縁層を形成すること; 前記へこみに各々が第1及び第2の端を持った第1の導体の配列を形成すること; 第1及び第2の端が露出したままになるように、第1導体の配列上に磁心絶縁層を形成すること;及び、 第1及び第2の端を持った第2の導体の配列であって、第2の導体の配列の第1及び第2の端が、対応する第1の導体の第1及び第2の端に接続して誘導コイルを形成するように、第2の導体の配列を前記磁心絶縁層上に形成すること、のステップから成る誘導性素子の製造方法。

Fターム (4件)：

5E070AA01 ,  5E070AB02 ,  5E070CB15 ,  5E070CC00