基板メッキ装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：熊谷隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254395
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087300
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】不溶解性の陽極電極を用いた基板メッキ装置で金属イオンの自動補給が可能な基板メッキ装置を提供すること。【解決手段】メッキ液を収容したメッキ処理槽11内に金属メッキを施す被メッキ基板(半導体ウエハ12)と不溶解性の陽極電極13を対向して配置した構成の基板メッキ装置において、メッキ処理槽11とは別に設けられた循環槽又はダミー槽10内に溶解性の陽極電極17とダミー陰極電極16を対向して配置すると共に、該陽極電極17とダミー陰極電極16の間にアニオン交換膜18又はカチオン選択性交換膜を配置し隔離し、該陽極電極17とダミー陰極電極16の間に電流を流すことによって陽極電極17から金属イオンを発生させ、該金属イオンをメッキ処理槽11内に補充する。

請求項（抜粋）：

メッキ液を収容したメッキ処理槽内に金属メッキを施す被メッキ基板と不溶解性の陽極電極を対向して配置した構成の基板メッキ装置において、前記メッキ処理槽とは別に設けられた循環槽又はダミー槽内に溶解性の陽極電極と陰極電極を対向して配置すると共に、該陽極電極と陰極電極の間にアニオン交換膜又はカチオン選択性交換膜を配置し隔離し、該陽極電極と陰極電極の間に電流を流すことで金属イオンを発生させ、該金属イオンを前記メッキ処理槽内に補充する手段を設けたことを特徴とする基板メッキ装置。

IPC (3件)：

C25D 21/14 , C25D 7/12 , H01L 21/288

FI (3件)：

C25D 21/14 G , C25D 7/12 , H01L 21/288 E

Fターム (14件)：

4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CA01 , 4K024CB02 , 4K024CB04 , 4K024CB07 , 4K024CB11 , 4K024CB15 , 4K024CB26 , 4K024GA16 , 4M104BB04 , 4M104DD52

引用特許：

審査官引用 (4件)

不溶性陽極を用いた銅めっき法における銅めっき浴の組成制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106739 出願人：ブリヂストン・ベカルト・スチール・コード株式会社
特開平2-070087
電解メッキ装置,及び電解メッキ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071379 出願人：三菱電機株式会社

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