特許

J-GLOBAL ID：200903034034045833

高純度希土類フッ化物の製造方法

発明者： 小林 健二
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-053905
公開番号（公開出願番号）：特開平5-254831
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：

【要約】【構成】 LaあるいはYの水溶液を、強酸性陽イオン交換樹脂1を充填した陽イオン交換樹脂カラム2に通し、陽イオン交換樹脂1がLaあるいはYを吸着した後、溶離剤6としてpHが3.5〜4.5である0.2〜1.0Mのα-ヒドロキシイソ酪酸溶液を流入した後、LaあるいはYの溶出液に、フッ化水素酸、酸性フッ化アンモニウム、フッ化水素ガスなどのフッ素化剤を加え、LaあるいはYのフッ化物沈殿を生成し、このフッ化物沈殿を脱水、乾燥後、これに酸性フッ化アンモニウムを添加し、600〜800°Cで焼成してLaF3 あるいはYF3を得る。【効果】 遷移金属不純物、希土類不純物の両者が極めて少ない高純度希土類フッ化物が容易に得られる。また、これをフッ化物ガラス光ファイバ原料として用いることによって、超低損失のフッ化物ガラス光ファイバを製造できる。

請求項（抜粋）：

LaあるいはYの水溶液を陽イオン交換樹脂カラムを用いて湿式精製を行った後、LaあるいはYの溶出液にフッ素化剤を加え、LaあるいはYのフッ化物沈殿を生成し、このフッ化物沈殿を脱水、乾燥、焼成してLaF3 あるいはYF3 とすることを特徴とする高純度希土類フッ化物の製造方法。

IPC (2件)：

C01F 17/00 ,  C22B 59/00