特許
J-GLOBAL ID：200903034034358017
読み出し専用型半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247228
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090542
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 TATを長期化することがなく大容量化を実現する。【構成】 ビット線B1,B2と、メモリセル選択用トランジスタQ11,Q21,Q12,Q22と、このメモリセル選択用トランジスタQ11,Q21,Q12,Q22のドレインにコンタクト窓(図示せず)を介して電気的に接続した抵抗素子R1,R2,R3,R4とを備えたものである。そして、ROMコードの書き込みは、ROMコードに応じた抵抗値となるように各メモリセルM1,M2,M3,M4内の抵抗素子R1,R2,R3,R4を分割した分割点a,bまたはcと、ビット線B1またはB2とをコンタクト窓(図示せず)を介して電気的に接続することにより行う。
請求項（抜粋）：
ビット線と、メモリセル選択用トランジスタと、このメモリセル選択用トランジスタのドレインに第1のコンタクト窓を介して電気的に接続した抵抗素子とを備え、前記抵抗素子をROMコードに応じた抵抗値に分割した分割点と、前記ビット線とを第2のコンタクト窓を介して電気的に接続した読み出し専用型半導体記憶装置。
引用特許：
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