特許

J-GLOBAL ID：200903034035449806

半導体のミクロ欠陥検出装置とその方法

発明者： ビクター ヒッグス ,  イアン クリストファー メイズ ,  ミカエル スウィーニー ,  フレディー ユン ヘン チン
出願人/特許権者： バイオ-ラド マイクロメジャーメント リミテッド
代理人 (1件)： 松永 孝義
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-513344
公開番号（公開出願番号）：特表2001-500613
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】本発明は光ルミネセンスを用いて、室温での半導体およびシリコン構造の欠陥を比較的短時間で検出する方法と装置に関する。本発明は、その電荷特性が半導体との相互作用によって半導体内の欠陥を検出する高濃度の電荷キャリアを発生させる目的で、好ましくは0.1mmから0.5ミクロンの間のスポットの大きさと、104-109w/cm2のピークまたは平均電力密度を持つ、高強度の光ビームの使用を採用している。これらの欠陥は半導体の光ルミネセンス像を作り出すことによって明らかにされる。共焦光学(confocal optics)が用いられると同時に各種の波長が選択した深さでの欠陥を特定するために選ばれる。

請求項（抜粋）：

半導体あるいはシリコン構造を0.1mm-0.5ミクロンの間のスポットの大きさで104〜109watt/cm2間のピークまたは平均電力の少なくとも一つの高い光強度のビームに露出し、半導体あるいはシリコン構造の欠陥を観察するためにそこからルミネセンスを収集することを特徴とする半導体あるいはシリコン構造中の欠陥を特定する方法。

IPC (4件)：

G01N 21/64 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/66 ,  G02B 21/00

FI (4件)：

G01N 21/64 Z ,  G01N 21/88 K ,  H01L 21/66 N ,  G02B 21/00