特許

J-GLOBAL ID：200903034038598276

半導体装置およびその製造方法

発明者： 堀越 和彦 ,  尾形 潔 ,  末永 和史 ,  中野 朝雄 ,  加藤 久幸 ,  吉住 圭一 ,  山崎 正日登 ,  酒井 芳男 ,  安部 寿彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-314425
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118236
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】基板上に形成された薄膜キャパシタにおいて、結晶性、配向性に優れたペロブスカイト誘電体膜を形成することにより、大容量、大自発分極を有する薄膜キャパシタの提供を目的とする。【解決手段】基板1上に形成した下部電極層2に熱処理を行った後、ペロブスカイト誘電体層を形成し、熱処理による結晶化を行うことにより、結晶性、配向性に優れたペロブスカイト誘電体層を得る。

請求項（抜粋）：

基板上の、少なくとも、下部電極、誘電体層、上部電極の積層構造よりなり、該下部電極はPtを含む導電体よりなり、該誘電体層はペロブスカイト構造を持つ結晶質である薄膜キャパシタにおいて、該下部電極と該誘電体層界面に2nm以上50nm未満の白金酸化物層を有することを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

C23C 14/58 A ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/04 C

Fターム (24件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K029GA01 ,  4M104BB06 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD86 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR13 ,  5F083PR34