半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008848
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211332
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】ソース・ドレインに過大な電圧が印加された場合でも破壊に至らない高信頼性を有するMIS型電界効果トランジスタを提供する。【構成】ソース・ドレインの高濃度拡散層8-1,8-2底部に接して、ソース・ドレインと逆導電型の高濃度拡散領域9を配置してソース・ドレイン拡散層の接合耐圧をソース・ドレイン間の耐圧よりも小さく設定しておいて、ソース・ドレインに過大な電圧が印加された場合でも電流がソース・ドレイン拡散層と底部に接する逆導電型高濃度領域9の接した部分に広く一様に流れるようにしてMIS型電界効果トランジスタの破壊を防止する。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極に整合して前記一導電型半導体基板の表面部に設けられた一対の逆導電型低濃度拡散層と、前記ゲート電極の側壁に設けたスペーサ絶縁膜に整合して前記逆導電型低濃度拡散層のそれぞれと接続して設けられた一対の逆導電型高濃度拡散層と、前記逆導電型高濃度拡散層底部に接して設けられた導電型拡散領域とを有するMIS型電界効果トランジスタを備えていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭64-023573
特開昭61-082476
特開平1-120067

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