特許

J-GLOBAL ID：200903034044184670

活性領域ダイオード及びソース/ドレイン拡散領域のリーク電流を低減するための方法及び構造

発明者： トーマス・エドワード・コプレイ ,  デートリッヒ・ダブリュー・ウック ,  トーマス・ダンガン
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-056673
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308303
出願日： 2001年03月01日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】イメーシ ゙センサ回路等において、活性領域からフィールト ゙酸化膜領域へのリーク電流を低減すること。【解決手段】集積回路(10)の隣接する領域間に絶縁(アイソレーション)を提供するための製造方法は、フィールト ゙酸化膜領域(30,54,92)と、ト ゙ーハ ゚ントが導入される拡散領域(14,26,52,86,96)との界面であるフィールト ゙エッシ ゙上にカ ゙ート ゙層(40,68,72,88,90,128)を設けることを含む。カ ゙ート ゙層はフィールト ゙エッシ ゙に沿ったト ゙ーハ ゚ントの導入を阻止し、そのため実質的にト ゙ーハ ゚ントがない遷移ストリッフ ゚(42,70,130)が形成される。遷移ストリッフ ゚は活性領域からフィールト ゙酸化膜領域への電流リークを阻止する。一実施形態において、活性領域は、アクティフ ゙ヒ ゚クセルセンサ(APS)のヒ ゚クセルを形成するために使用されるような活性領域タ ゙イオート ゙である。カ ゙ート ゙層にハ ゙イアスをかけて、回路動作中の電流リークを更に阻止する。

請求項（抜粋）：

集積回路の隣接する領域間の絶縁を提供するための方法であって、基板(20、66及び98)上に前記集積回路を製作するための回路レイアウト(10)を選択するステップであって、前記集積回路の動作中に第二の領域から前記基板へのリーク電流が望ましくない場合において、隣接する基板領域を第一の領域(30、54及び92)及び第二の領域(14、26、52、86及び96)に画定することを含み、少なくとも前記第二の領域がドーパントの導入されるべき活性領域である、ステップと、ガード層(40、68、72、88、90及び128)を前記基板上に、前記ガード層が前記第二の領域の周辺部上に存在するように形成するステップであって、前記第二の領域の周辺部が前記第一の領域の端部に沿って伸びている、ステップと、及び前記ドーパント(138)を前記第二の領域へと導入し、所定の電気特性を前記第二の領域中に確立するステップであって、前記ガード層が、前記ドーパントの前記周辺部への導入を阻止することにより、遷移ストリップ(42、70及び130)が前記第二の領域中に前記第一の領域の前記端部に沿って残される、ステップとを含む方法。

IPC (6件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (6件)：

H01L 27/08 331 B ,  H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 27/14 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-120385
  
• 特開昭57-120385
  
• 特開平2-161776
  
• 特開昭57-202182