メモリ集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-181304
公開番号（公開出願番号）：特開平6-028857
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】書き込み動作終了後に、書き込み信号線からデジット線をプリチャージする時のプリチャージ不足を防ぎ、メモリセルへの誤書き込みを防ぐ。【構成】データ書き込み信号線からデータをデジット線に送るNMOSトランジスタ5及び6のしきい値電圧を低くすることによって、書き込み終了後に、データ書き込み信号線からデジット線にプリチャージされる電圧を、しきい値が低い分だけ高くして、プリチャージ不足を防ぐ。

請求項（抜粋）：

スイッチ回路を有し、データ書き込み信号線からのデータをメモリセルに書き込むメモリ集積回路であって、スイッチ回路は、MOSトランジスタから構成され、書き込み動作時にデータ書き込み信号線からのデータをメモリセルのデジット線に伝達するものであり、スイッチ回路をなすMOSトランジスタは、しきい値電圧を低く設定して、データ書き込み信号からデジット線へのプルアップ用プリチャージ電圧を、その低く設定した分だけ相対的に上昇させたものであることを特徴とするメモリ集積回路。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-222489
特開昭64-084491

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