特許

J-GLOBAL ID：200903034048237883

シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： 林 健郎 ,  竹田 隆二 ,  茶木 勝弘
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-077093
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250505
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 ウエーハ内部のBMD密度を調整することによって、品質のより安定したシリコンウエーハ及びその製造方法を提供する。【構成】 単結晶シリコンインゴットから形成したウエーハを用い、超微小酸素析出物(エンプリオ)の密度を制御するための熱履歴初期化工程と、再析出核を制御しつつ成長させるための核制御成長処理工程を行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。前記方法によって製造され、BMD密度が106 個/cm3 以上で1010個/cm3 以下であるBMD密度調整層がウエーハ内部に形成されたシリコンウエーハ。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンインゴットから形成したウエーハを用い、超微小酸素析出物(エンプリオ)の密度を制御するための熱履歴初期化工程と、再析出核を制御しつつ成長させるための核制御成長処理工程を行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/208

FI (2件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/208 T

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-175300
  
• 特開平2-177541