特許
J-GLOBAL ID：200903034050404932
不揮発性半導体記憶装置及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236974
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094605
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 浮遊ゲート用導電体層の結晶粒の成長を抑制し、下層酸化膜と浮遊ゲート用導電体層との界面の整合性及び下層酸化膜の膜厚の均一性の優れた不揮発性半導体記憶装置及びその形成方法を提供する。【構成】 第1導電体層14aは、導電性をもたせ、かつ、この第1導電体層14a中に生じ得る結晶径を小さくするための不純物としてヒ素(As)原子を含む構成とする。このとき、ヒ素不純物濃度を最低限1×1019原子/cm3 とするのが良い。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に離間して設けられた第1及び第2不純物領域と、該第1及び第2不純物領域間にはチャネル領域が設けてあり、前記チャネル領域を含む前記半導体基板上に第1絶縁膜、第1導電体層、第2絶縁膜及び第2導電体層を、順次積層してなる不揮発性半導体記憶装置において、前記第1導電体層は、導電性をもたせ、かつ、該第1導電体層中に生じ得る結晶径を小さくするための不純物としてヒ素(As)原子を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
