特許
J-GLOBAL ID：200903034051170064
電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060511
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250939
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】【課題】 JFETの耐圧特性を向上させ、またJFETの安定動作を実現する。【解決手段】 半絶縁性化合物半導体基板上に、バッファ層と、第1導電型のエピタキシャル成長層からなるチャネル層(例InGaAs)を含む活性層と、該活性層上又は側面に形成された第1導電型のコンタクト層を介して形成されるソース・ドレイン電極と、第2導電型のエピタキシャル成長層からなるゲート層(例p+GaAs)及び該ゲート層上に形成されるゲート電極とを有する電界効果トランジスタであって、前記第2導電型のゲート層とチャネル層との間に前記ゲート層からチャネル層に至る価電子帯エネルギーを急激に下げる半導体層(例InGaP)を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半絶縁性化合物半導体基板上に、バッファ層と、第1導電型のエピタキシャル成長層からなるチャネル層を含む活性層と、該活性層上又は側面に形成された第1導電型のコンタクト層を介して形成されるソース・ドレイン電極と、第2導電型のエピタキシャル成長層からなるゲート層及び該ゲート層上に形成されるゲート電極とを有する電界効果トランジスタであって、前記第2導電型のゲート層とチャネル層との間に前記ゲート層からチャネル層に至る価電子帯エネルギーを急激に下げる半導体層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GD04
, 5F102GJ05
, 5F102GK05
, 5F102GK06
, 5F102GL04
, 5F102GL05
, 5F102GM04
, 5F102GM05
, 5F102GM06
, 5F102GM08
, 5F102GM09
, 5F102GM10
, 5F102GN04
, 5F102GN05
, 5F102GN06
, 5F102GN08
, 5F102GN10
, 5F102GQ03
, 5F102GR04
, 5F102GR08
, 5F102GR10
, 5F102GS03
, 5F102HA13
, 5F102HC00
, 5F102HC01
, 5F102HC02
, 5F102HC19
