特許
J-GLOBAL ID：200903034051628788
光学的不良環境において材料層を処理する期間中に終了点を測定する光学的手法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井ノ口 壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-508354
公開番号（公開出願番号）：特表平8-501635
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】基板によって保持された露出層から選択的に材料を除去するプロセスにおいて、前記基板と全ての中間層を通過して処理中の層から反射する放射光線の強度を監視することによって終了点を判定する手法を開示する。この監視手法は、フォトレジストの現像、ウエット・エッチング、および機械的な平坦化の期間中に使用すると共に半導体ウエハ上に集積回路を製造しガラス基板上にフラット・パネル表示装置を製造しまた同様の物品を製造する期間中の研磨に使用する。平坦化と研磨のプロセスは温度を監視することによって交互に監視する。
請求項（抜粋）：
中間構造を間に含む基板の第1の面上に保持された層の少なくとも一部を除去する方法において: 前記層に電磁放射線を分散,減衰または阻止することを特徴とする材料除去物質を供給し、前記基板の第2の面には当該物質を供給しないステップ; 前記基板と中間構造を介して前記基板の第2の面に対して前記基板と前記中間構造が前記光線に対して実質的に透過性を有する波長帯域を有する第1電磁放射光線を前記層に向かって放射するステップ;および 前記層と中間構造によって反射され前記基板の第2の面から出射する前記第1光線の一部である電磁放射線の第2光線から層除去プロセスの状態の特定の特性を検出するステップ;を含む中間構造を間に含む基板の第1の面上に保持された層の少なくとも一部を除去する方法。
IPC (6件)：
G01B 11/06
, B24B 37/04
, C23F 1/00
, H01J 37/305
, H01L 21/027
, H01L 21/304 321
