特許
J-GLOBAL ID：200903034052558708
ポジ型パタン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319784
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181132
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【構成】 芳香環を含む置換基(Rn)及び酸素原子がシリコン原子と結合している構造を単位とする高分子化合物を実質的に主成分として含むレジスト膜に、活性化学線を照射して前記照射した部分のレジスト膜を揮発させてパタンを形成する。【効果】 短波長の活性化学線を用いた場合に、優れたドライエッチング耐性を持つパタンを形成できる。
請求項（抜粋）：
芳香環を含む置換基及び酸素原子がシリコン原子と結合している構造を単位とする高分子化合物を実質的に主成分として含むレジスト膜を基体上に形成する工程と、活性化学線を前記レジスト膜に照射することによって、前記照射した部分のレジスト膜を揮発させる工程とを有することを特徴とするポジ型パタン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/312
, H01L 21/3065
