特許

J-GLOBAL ID：200903034053202346

半導体レーザの駆動方法

発明者： 小田川 哲史 ,  若尾 清秀
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002793
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190947
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザの駆動方法に関し、消光比と発振遅延時間の必要値を確保し、且つ、駆動電流を最小にするバイアス電流の供給条件を設定する。【構成】 周囲上限温度をT<SB>0H</SB>、駆動電流I<SB>d </SB>に依る活性層での温度上昇をΔT(I<SB>d </SB>)、信頼性で決まる活性層上限温度をT<SB>H </SB>としT<SB>0H</SB>+ΔT(I<SB>d </SB>)<T<SB>H </SB>なる条件、消光比を(I<SB>b </SB>+I<SB>d </SB>-I<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>))/(I<SB>b </SB>-I<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>))、所望消光比をR、バイアス電流をI<SB>b </SB>、駆動電流をI<SB>d </SB>、適用温度範囲の下限温度でのしきい値電流をI<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>)とし(I<SB>b </SB>+I<SB>d </SB>-I<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>))/(I<SB>b </SB>-I<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>))≧Rなる条件、駆動電流I<SB>d </SB>、バイアス電流I<SB>b </SB>、適用温度範囲の上限温度でのしきい値電流I<SB>th</SB>(T<SB>H </SB>)、レーザに於けるキャリヤ寿命τsで決まる発振遅延時間t<SB>d </SB>が所望の発振遅延時間t<SB>0 </SB>以下となる条件の各条件から定めたバイアス電流I<SB>b </SB>と駆動電流I<SB>d </SB>でレーザを駆動する。

請求項（抜粋）：

温度制御を行うことなく且つバイアス電流を固定して半導体レーザを駆動するに際し、T<SB>0H</SB>+ΔT(I<SB>d </SB>)<T<SB>H </SB>T<SB>0H</SB>:周囲温度の上限ΔT(I<SB>d </SB>):半導体レーザに駆動電流I<SB>d </SB>を流すことに起因する活性層の温度上昇T<SB>H </SB>:信頼性などの条件に依って決まる活性層の温度が満たすべき上限なる第一の条件、 (I<SB>b </SB>+I<SB>d </SB>-I<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>))/(I<SB>b </SB>-I<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>))≧R (I<SB>b </SB>+I<SB>d </SB>-I<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>))/(I<SB>b </SB>-I<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>)):消光比R:所望の消光比I<SB>b </SB>:バイアス電流I<SB>d </SB>:駆動電流I<SB>th</SB>(T<SB>L </SB>):適用温度範囲のうちの下限温度に於けるしきい値電流なる第二の条件、駆動電流I<SB>d </SB>及びバイアス電流I<SB>b </SB>及び適用温度範囲のうちの上限温度に於けるしきい値電流I<SB>th</SB>(T<SB>H </SB>)及び半導体レーザに於けるキャリヤ寿命τsで決まる発振遅延時間t<SB>d </SB>が所望の発振遅延時間t<SB>0 </SB>以下となることなる第三の条件、の三つの条件からバイアス電流I<SB>b </SB>及び駆動電流I<SB>d </SB>の使用可能範囲で定めたバイアス条件で半導体レーザを駆動することを特徴とする半導体レーザの駆動方法。