特許
J-GLOBAL ID：200903034053641188
非晶質シリコン膜の製造方法、非晶質窒化シリコン膜の製造方法、微結晶シリコン膜の製造方法、及び非単結晶半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100219
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275346
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 a-Si膜等の非単結晶膜の大面積化に対応し、且つ、膜特性を改善して高速成膜を作成可能とし、デバイス特性を左右する界面特性を向上させる。【構成】 高周波放電を利用したプラズマCVD法による非晶質シリコン膜の製造方法において、少なくとも、珪素化合物ガスを原料ガスとして、成膜圧力P(Torr)を0.25Torr以上2.5Torr以下に設定し、高周波電源の周波数f(MHz)を30MHz以上120MHz以下に設定し、投入電力PW(W/cm2 )を10/f(MHz)で規定される値以下とし、電極間距離d(cm)をf/30で規定される値より大きい値とした。
請求項（抜粋）：
高周波放電を利用したプラズマCVD法による非晶質シリコン膜の製造方法において、少なくとも、珪素化合物ガスを原料ガスとして、成膜圧力P(Torr)を0.25Torr以上2.5Torr以下に設定し、高周波電源の周波数f(MHz)を30MHz以上120MHz以下に設定し、投入電力PW (W/cm2 )を10/f(MHz)で規定される値以下とし、電極間距離d(cm)をf/30で規定される値より大きい値としたことを特徴とする非晶質シリコン膜の製造方法。
引用特許：
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