特許

J-GLOBAL ID：200903034057131826

光ピックアップ

発明者： 新田 佳樹
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072929
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273122
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 発光素子を実装したチップオンキャリアと、受光素子を形成した受光基板とを簡単な工程で高精度に位置合わせする。【解決手段】 チップオンキャリア3のヒートシンク2に発光素子1を実装する。ヒートシンク2に受光基板7との当て付け部4を形成する一方、受光基板7にヒートシンク2との当て付け部12を形成する。チップオンキャリア3及び受光基板7の当て付け部4,12をベース基板20上で相互に当て付けてチップオンキャリア3と受光基板7とを位置合わせし、その後、加圧及び加熱することによりチップオンキャリア3と受光基板7とベース基板20と封止基板25とを接合する。工程が簡単で、一度に高精度の位置合わせができる。

請求項（抜粋）：

ヒートシンクに発光素子が実装されたチップオンキャリアと、前記発光素子から出射された光の戻り光を受光する受光素子が形成された受光基板と、前記発光素子及び受光素子をガス封止するために接合される封止基板とを備えた光ピックアップにおいて、前記ヒートシンクは、前記受光基板との当て付け部が受光基板側の面に形成されると共に、前記封止基板との接合面に接合層が形成され、前記発光素子はヒートシンクの当て付け部及びヒートシンクの側面に形成された基準面を基準としてヒートシンクに実装され、前記受光基板は、前記ヒートシンクとの当て付け部がヒートシンク側の面に形成されると共に、前記封止基板との接合面に接合層が形成され、前記受光素子はヒートシンクとの当て付け部及び受光基板の側面に形成された基準面を基準として受光基板に形成され、前記封止基板は前記チップオンキャリア及び受光基板との接合面に接合層が形成されており、前記チップオンキャリア及び受光基板の当て付け部を相互に当て付けてチップオンキャリアと受光基板とを位置合わせした状態で、加圧及び加熱することによりチップオンキャリアと受光基板と封止基板とが接合されていることを特徴とする光ピックアップ。