金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮本恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-150289
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343790
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】塩化物原料を用いることなく、高誘電率材料の酸化膜や窒化膜を、気相原子層堆積法で均一かつ良好な膜質で基板上に堆積することができる気相堆積方法、及び、半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】ジルコニウム、ハフニウム、又は、ランタノイド化合物等の有機金属化合物からなる原料と、酸素ラジカル、窒素ラジカル又は酸素と窒素の混合ラジカルからなる酸化剤又は窒化剤とを用い、原料とラジカルとを交互に照射して金属化合物薄膜を原子層ごとに堆積するものであり、金属塩素物原料及び水を用いないことにより、膜中への塩素や炭素の残留を防止し、高品位かつ高い膜厚均一性の薄膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に原子層ごとに金属化合物薄膜を堆積する気相堆積方法であって、有機金属化合物からなる原料と、酸素ラジカル、窒素ラジカル又は酸素及び窒素の混合ラジカルからなる酸化剤又は窒化剤とを用い、前記原料と前記ラジカルとを交互に照射して金属化合物薄膜を原子層オーダーで堆積することを特徴とする、金属化合物薄膜の気相堆積方法。

IPC (10件)：

H01L 21/314 , C23C 16/34 , C23C 16/40 , C23C 16/44 , H01L 21/283 , H01L 21/285 , H01L 21/3205 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 29/78

FI (9件)：

H01L 21/314 A , C23C 16/34 , C23C 16/40 , C23C 16/44 A , H01L 21/283 D , H01L 21/285 P , H01L 21/88 R , H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 651

Fターム (48件)：

4K030AA11 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104DD45 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF18 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033PP02 , 5F033PP11 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF01 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F083AD11 , 5F083GA06 , 5F083JA01 , 5F083JA02 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR21 , 5F140AA00 , 5F140AA19 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE16

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