特許
J-GLOBAL ID：200903034059946797
貴金属スパッタリング用ターゲット材の製造方法及びその方法により製造される貴金属スパッタリング用ターゲット材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269691
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089889
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：
【要約】【解決課題】スパッタ時における部分的消耗に対応可能な厚み変化を有する、貴金属又は貴金属合金からなるターゲット材を容易に製造できる方法及びその方法により製造される貴金属スパッタリング用ターゲット材を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、スパッタレートが高い消耗領域の厚みが他の領域の厚みよりも大きい厚み変化を有するスパッタリング用ターゲット材の製造方法であって、貴金属塩含有溶液に陰極と陽極とを対向状態で浸漬し、該陰極の前記消耗領域に略対応する位置の電流密度が、前記他の領域に略対応する位置の電流密度よりも高い状態で貴金属塩含有溶液を電解して貴金属又は貴金属合金を析出させるものである。ここで、陰極における電流密度を制御する方法としては、消耗領域に略対応する位置における陽極と陰極との極間距離を他の領域に略対応する位置における極間距離よりも小さくなるように陽極を形成して電解する方法、及び、消耗領域と略等しい形状及び面積の開口部を有する遮蔽板を陰極に近接、配置して電解する方法が好ましい。
請求項（抜粋）：
貴金属又は貴金属合金からなり、スパッタレートが高い消耗領域の厚みが他の領域の厚みよりも大きい厚み変化を有するスパッタリング用ターゲット材の製造方法であって、貴金属塩含有溶液に陰極と陽極とを対向状態で浸漬し、該陰極の前記消耗領域に略対応する位置の電流密度が、前記他の領域に略対応する位置の電流密度よりも高い状態で貴金属塩含有溶液を電解して貴金属又は貴金属合金を析出させてなるスパッタリング用ターゲット材の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
4K029BA04
, 4K029BA05
, 4K029BA13
, 4K029BA22
, 4K029BC03
, 4K029BD02
, 4K029DC04
, 4K029DC07
, 4K058AA30
, 4K058BA19
, 4K058BA36
, 4K058CB04
, 4K058CB17
, 4K058DD02
, 4K058DD27
, 4K058EC01
, 4K058EC04
, 4K058EC06
