特許
J-GLOBAL ID：200903034060393130
シリコンによる2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-158101
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311449
出願日： 2007年06月15日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】加工手法が多様で電極自身の電気特性などを非常に精密に制御する事ができるシリコンを用いて、2端子で動作する抵抗スイッチ素子及び半導体デバイスを提供する。【解決手段】不純物がドープされたシリコン膜をナノスケールの間隙幅をもって2個配置したことを特徴とする2端子抵抗スイッチ素子。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
不純物がドープされたシリコン膜をナノスケールの間隙幅をもって2個配置したことを特徴とする2端子抵抗スイッチ素子。
IPC (4件)：
H01L 29/66
, H01L 49/00
, H01L 45/00
, H01L 29/06
H01L29/66 C
, H01L49/00 Z
, H01L45/00 Z
, H01L29/06 601N
