特許
J-GLOBAL ID：200903034069743568
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114332
公開番号（公開出願番号）：特開平6-325567
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 ワードライン電位の立ち上がりの遅れと、瞬間的な消費電流の増大による雑音の発生を抑制することにより、高速動作が可能であり、しかも動作マージンが広い半導体記憶装置を提供する。【構成】 ブースト電源1に接続され、Xデコーダ2によって駆動されるスイッチングトランジスタTrAと、このスイッチングトランジスタTrAに接続されるワードラインWLと、このワードラインWLによって駆動されるメモリセル3のスイッチングトランジスタTrBに接続されるビットラインBLを具備する半導体記憶装置において、電源電圧を出力する電源Vccと、この電源Vccとブースト電源1の出力側間に接続される対向電極を有する容量Caとを設ける。
請求項（抜粋）：
ブースト電源に接続され、Xデコーダによって駆動されるスイッチングトランジスタと、該スイッチングトランジスタに接続されるワードラインと、該ワードラインによって駆動されるメモリセルのスイッチングトランジスタに接続されるビットラインを具備する半導体記憶装置において、(a)電源電圧を出力する電源と、(b)該電源と前記ブースト電源の出力側間に接続される対向電極を有する容量Caとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/407
, H01L 27/108
G11C 11/34 354 E
, H01L 27/10 325 N
