特許
J-GLOBAL ID:200903034071044200

積層セラミックコンデンサの内部欠陥検査方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-017760
公開番号(公開出願番号):特開平10-293107
出願日: 1998年01月14日
公開日(公表日): 1998年11月04日
要約:
【要約】【課題】 積層セラミックコンデンサに内在するデラミネーション等の欠陥を簡単に、しかも、効率良く選別を可能とする積層セラミックコンデンサの内部欠陥検査方法を提供すること。【解決手段】 積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗、静電容量測定後にDCバイアスを印加し、周波数を変化させて得られるインピーダンスの周波数特性の変化により、デラミネーション等の内部欠陥を検出する。
請求項(抜粋):
積層セラミックコンデンサにDCバイアスを印加し、周波数を変化させて得られるインピーダンスの周波数特性の変化により、デラミネーションを検出することを特徴とする積層セラミックコンデンサの内部欠陥検査方法。
IPC (4件):
G01N 27/02 ,  G01R 31/00 ,  H01G 4/12 343 ,  H01G 13/00 361
FI (4件):
G01N 27/02 Z ,  G01R 31/00 ,  H01G 4/12 343 ,  H01G 13/00 361 Z

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