特許

J-GLOBAL ID：200903034077146609

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 甲斐 芳英 ,  大庭 敦 ,  野尻 勲
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-034864
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237193
出願日： 2001年02月13日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 消費電流の低減、高速動作、高精度を保証する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置ではメモリセルのデータを読み出すためのカレントミラーに対し、ダイオード接続されるトランジスタM6とカットトランジスタM7とを設ける。トランジスタM6によりプリチャージ電圧を電源電圧より低くする。トランジスタM7により消費電流を低減する。

請求項（抜粋）：

不揮発性のメモリセルと、前記メモリセル対応のワード線と、前記メモリセル対応のビット線と、前記ビット線と接続され、前記メモリセルの記憶データを検出するための検出部とを備え、前記検出部は、各々が電源電圧ノードと接続される、前記メモリセルの電流を検出するための第1および第2トランジスタを含むカレントミラーと、前記電源電圧ノードと、前記第1および第2トランジスタのゲートとの間にダイオード接続されるトランジスタと、前記カレントミラーにより検出された電流を電圧に変換する電流電圧変換素子とを含む、不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 634 D ,  G11C 17/00 634 B

Fターム (8件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD06 ,  5B025AD11 ,  5B025AE05 ,  5B025AE06 ,  5B025AE08