特許
J-GLOBAL ID：200903034077550230
固体撮像装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182713
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026738
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 配線部を高融点金属で形成する場合の低電気伝導率の問題の解決をはかる。【解決手段】 固体撮像素子を有する半導体基板上に配線部が形成され、この配線部上に平坦化ないしは平滑化絶縁層が形成されて成る固体撮像装置において、その配線部13を、第1の金属層パターン31と、この第1の金属パターン31に平坦化ないしは平滑化絶縁層15に形成した開口15wを通じて、コンタクトされた第2の金属層パターン32とにより構成する。そして、第1の金属層パターン31は、平坦化絶縁層の軟化温度より高い高融点金属より構成し、第2の金属層パターン32は、第1の金属層パターン31より良導電性の金属より構成する。
請求項（抜粋）：
固体撮像素子を有する半導体基板上に配線部が形成され、該配線部上に平坦化ないしは平滑化絶縁層が形成されて成る固体撮像装置において、上記配線部が、第1の金属層パターンと、上記平坦化ないしは平滑化絶縁層に形成した開口を通じて、上記第1の金属層パターン上にコンタクトされた第2の金属層パターンとより成り、上記第1の金属層パターンは、上記平坦化ないしは平滑化された絶縁層の軟化温度より高い高融点金属より成り、上記第2の金属層パターンは、上記第1の金属層パターンより良導電性の金属より成ることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/14
, H01L 21/3205
H01L 27/14 D
, H01L 21/88 K
